BFP 840ESD H6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BFP 840ESD H6327
|
|
حجم فایل
|
66.423
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
22
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies BFP 840ESD H6327
-
Transistor Type:
-
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
35mA
-
Power Dissipation (Pd):
75mW
-
Transition Frequency (fT):
80GHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
260@10mA,1.8V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
400nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
2.25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
-
-
Package:
SOT-343
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
